TC58NYG1S3HBAI6

Kioxia America, Inc

TC58NYG1S3HBAI6

Speicher & Storage

IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA

Aktiv67-VFBGASpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieFLASH - NAND (SLC)
Zugriffszeit25 ns
Basis-TeilenummerTC58NYG1
HerstellerKioxia America, Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit25ns

Elektrisch

Speichergröße2Gbit
SpeicherformatFLASH
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung1.7V ~ 1.95V
Memory Organization256M x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case67-VFBGA
Hersteller-Gehäuse67-VFBGA (6.5x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)