VWM200-01P

IXYS

VWM200-01P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2-PAK

ObsoletV2-PAKAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.2mOhm @ 100A, 10V
Basis-TeilenummerVWM200
Konfiguration6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs430nC @ 10V
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 2mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C210A

Mechanisch

GehäuseBox
Package / CaseV2-PAK
Hersteller-GehäuseV2-PAK

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)