Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 430A, 10V |
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| Basis-Teilenummer | VMO580 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2750 nC @ 10 V |
| Hersteller | IXYS |
| Montageart | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Serie | HiPerFET™ |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50mA |
| Drain-Source-Spannung | 200 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 580A (Tc) |
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | Y3-Li |
| Hersteller-Gehäuse | Y3-Li |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
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