VMO1600-02P

IXYS

VMO1600-02P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI

ObsoletY3-LiAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 1600A, 10V
Basis-TeilenummerVMO
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2900 nC @ 10 V
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
Product StatusObsolete
SeriePolarHT™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1900A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseY3-Li
Hersteller-GehäuseY3-Li

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)