VMM650-01F

IXYS

VMM650-01F

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI

ObsoletY3-LiAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2mOhm @ 500A, 10V
Basis-TeilenummerVMM650
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1440nC @ 10V
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
Product StatusObsolete
SerieHiPerFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 30mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C680A

Mechanisch

GehäuseBox
Package / CaseY3-Li
Hersteller-GehäuseY3-Li

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)