Allgemein
| Basis-Teilenummer | SS275 |
|---|---|
| Diode Configuration | 3 Common Anode |
| Hersteller | IXYS-RF |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 5 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 1200 V |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Hersteller-Gehäuse | DE275 |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|