MMIX1T550N055T2

IXYS

MMIX1T550N055T2

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 55V 550A 24SMPD

Aktiv24-PowerSMD, 21 LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40000 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieFRFET®, SupreMOS®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C550A (Tc)
Max. Verlustleistung830W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case24-PowerSMD, 21 Leads
Hersteller-Gehäuse24-SMPD

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)