MMIX1T132N50P3

IXYS

MMIX1T132N50P3

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 63A POLAR3

Aktiv24-PowerSMD, 22 LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 66A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds18600 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePolar™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C63A (Tc)
Max. Verlustleistung520W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case24-PowerSMD, 22 Leads
Hersteller-GehäusePolar3™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)