MEO550-02DA

IXYS

MEO550-02DA

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6

AktivY4-M6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerMEO550
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
VerpackungBulk
TeilestatusAktiv
Reverse Recovery Time (trr)200 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 520 A
Current - Average Rectified (Io)582A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 mA @ 200 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

Package / CaseY4-M6
Hersteller-GehäuseY4-M6

Umwelt

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 150°C