Allgemein
| Basis-Teilenummer | LSIC1MO120 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Hersteller | IXYS |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | TO-263-7 |