IXUN280N10

IXYS

IXUN280N10

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B

ObsoletSOT-227-4, miniBLOCAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 140A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs440 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds18000 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 4mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C280A (Tc)
Max. Verlustleistung770W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Hersteller-GehäuseSOT-227B

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)