IXTY2N80P

IXYS

IXTY2N80P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 800V 2A TO252

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds440 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePolarHV™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 50µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
Max. Verlustleistung70W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)