IXTY1R4N120P

IXYS

IXTY1R4N120P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerIXTY1
FET TypeN-Channel
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePolar
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)