IXTX6N200P3HV

IXYS

IXTX6N200P3HV

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV

AktivTO-247-3 VariantAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3700 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SeriePolar P3™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung2000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Max. Verlustleistung960W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Hersteller-GehäuseTO-247PLUS-HV

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)