IXTX46N50L

IXYS

IXTX46N50L

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247-3

AktivTO-247-3 VariantAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 500mA, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs260 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7000 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieLinear
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id6V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C46A (Tc)
Max. Verlustleistung700W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Hersteller-GehäusePLUS247™-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)