IXTX40P50P

IXYS

IXTX40P50P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3

AktivTO-247-3 VariantAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 20A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11500 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SeriePolarP™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Max. Verlustleistung890W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Hersteller-GehäusePLUS247™-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)