IXTX120P20T

IXYS

IXTX120P20T

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3

AktivTO-247-3 VariantAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 60A, 10V
Basis-TeilenummerIXTX120
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds73000 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieTrenchP™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Hersteller-GehäusePLUS247™-3