IXTV18N60PS

IXYS

IXTV18N60PS

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 18A PLUS-220SMD

ObsoletPLUS-220SMDAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs420mOhm @ 9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePolarHV™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
Max. Verlustleistung360W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CasePLUS-220SMD
Hersteller-GehäusePLUS-220SMD

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)