IXTV110N25TS

IXYS

IXTV110N25TS

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD

ObsoletPLUS-220SMDAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 55A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9400 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)
Max. Verlustleistung694W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CasePLUS-220SMD
Hersteller-GehäusePLUS-220SMD

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)