IXTV02N250S

IXYS

IXTV02N250S

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 2500V 200MA PLUS220

ObsoletPLUS-220SMDAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs450Ohm @ 50mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds116 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung2500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Tc)
Max. Verlustleistung83W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CasePLUS-220SMD
Hersteller-GehäusePLUS-220SMD

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)