IXTT48P20P

IXYS

IXTT48P20P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 200V 48A TO268

AktivTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5400 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePolarP™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C48A (Tc)
Max. Verlustleistung462W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Hersteller-GehäuseTO-268AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)