IXTT2N300P3HV

IXYS

IXTT2N300P3HV

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 3000V 2A TO268

AktivTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs21Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1890 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePolar P3™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung3000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
Max. Verlustleistung520W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Hersteller-GehäuseTO-268HV (IXTT)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C (TJ)