IXTT140N10P

IXYS

IXTT140N10P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 140A TO268

AktivTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 70A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4700 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePolar
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C140A (Tc)
Max. Verlustleistung600W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Hersteller-GehäuseTO-268AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)