IXTR68P20T

IXYS

IXTR68P20T

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 200V 44A ISOPLUS247

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs64mOhm @ 34A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds33400 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusObsolet
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44A (Tc)
Max. Verlustleistung270W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseISOPLUS247™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)