IXTQ74N20P

IXYS

IXTQ74N20P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 74A TO3P

AktivTO-3P-3, SC-65-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 37A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3300 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SeriePolar
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C74A (Tc)
Max. Verlustleistung480W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Hersteller-GehäuseTO-3P

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)