IXTP6N100D2

IXYS

IXTP6N100D2

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2Ohm @ 3A, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2650 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieDepletion
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Max. Verlustleistung300W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)