IXTP50N20PM

IXYS

IXTP50N20PM

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 20A TO220

AktivTO-220-3 Full Pack, Isolated TabAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2720 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SeriePolar
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Max. Verlustleistung90W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Hersteller-GehäuseTO-220 Isolated Tab

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)