IXTP20N65XM

IXYS

IXTP20N65XM

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 9A TO220

AbgekündigtTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs210mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1390 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusLast Time Buy
SerieUltra X
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
Max. Verlustleistung63W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)