IXTN660N04T4

IXYS

IXTN660N04T4

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B

AktivSOT-227-4, miniBLOCAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.85mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs860 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds44000 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
SerieTrench
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C660A (Tc)
Max. Verlustleistung1040W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Hersteller-GehäuseSOT-227B

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)