IXTN32P60P

IXYS

IXTN32P60P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B

AktivSOT-227-4, miniBLOCAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11100 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
SeriePolarP™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Tc)
Max. Verlustleistung890W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Hersteller-GehäuseSOT-227B

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)