IXTN30N100L

IXYS

IXTN30N100L

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B

AktivSOT-227-4, miniBLOCAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 15A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs545 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13700 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
SerieLinear
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Max. Verlustleistung800W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Hersteller-GehäuseSOT-227B

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)