IXTN17N120L

IXYS

IXTN17N120L

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B

AktivSOT-227-4, miniBLOCAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 8.5A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8300 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
SerieLinear
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
Max. Verlustleistung540W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Hersteller-GehäuseSOT-227B

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)