IXTN110N20L2

IXYS

IXTN110N20L2

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B

AktivSOT-227-4, miniBLOCAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 55A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23000 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
SerieLinear L2™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 3mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Max. Verlustleistung735W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
Hersteller-GehäuseSOT-227B

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)