IXTL2X200N085T

IXYS

IXTL2X200N085T

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK

ObsoletISOPLUSi5-Pak™Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 50A, 10V
Basis-TeilenummerIXTL2X200
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs152nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7600pF @ 25V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieTrenchMV™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung85V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C112A
Power - Max150W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseISOPLUSi5-Pak™
Hersteller-GehäuseISOPLUSi5-Pak™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)