IXTK170N10P

IXYS

IXTK170N10P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 170A TO264

AktivTO-264-3, TO-264AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6000 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SeriePolar
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C170A (Tc)
Max. Verlustleistung715W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
Hersteller-GehäuseTO-264 (IXTK)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)