IXTH96N25T

IXYS

IXTH96N25T

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 250V 96A TO247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6100 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieTrench
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C96A (Tc)
Max. Verlustleistung625W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247 (IXTH)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)