IXTH90P10P

IXYS

IXTH90P10P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 100V 90A TO247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 45A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5800 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SeriePolarP™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A (Tc)
Max. Verlustleistung462W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247 (IXTH)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)