IXTH36P10

IXYS

IXTH36P10

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 100V 36A TO247

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 18A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2800 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Tc)
Max. Verlustleistung180W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247 (IXTH)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)