IXTH200N10T

IXYS

IXTH200N10T

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 200A TO247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9400 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusAktiv
SerieTrench
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc)
Max. Verlustleistung550W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247 (IXTH)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)