IXTH1N250

IXYS

IXTH1N250

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-247AD

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs40Ohm @ 750mA, 10V
Basis-TeilenummerIXTH1
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1660 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung2500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247AD