IXTH16N20D2

IXYS

IXTH16N20D2

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 16A TO247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs73mOhm @ 8A, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs208 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5500 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieDepletion
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Max. Verlustleistung695W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247 (IXTH)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)