IXTH12N100L

IXYS

IXTH12N100L

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3Ohm @ 500mA, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs155 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieLinear
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Max. Verlustleistung400W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247 (IXTH)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)