IXTH02N450HV

IXYS

IXTH02N450HV

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV

AktivTO-247-3 VariantAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs625Ohm @ 10mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds246 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id6.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung4500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Tc)
Max. Verlustleistung113W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3 Variant
Hersteller-GehäuseTO-247HV

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)