IXTC160N10T

IXYS

IXTC160N10T

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220

ObsoletISOPLUS220™Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6600 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieTrenchMV™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C83A (Tc)
Max. Verlustleistung140W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseISOPLUS220™
Hersteller-GehäuseISOPLUS220™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)