IXTA80N10T7

IXYS

IXTA80N10T7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7

ObsoletTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3040 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieTrenchMV™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Max. Verlustleistung230W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Hersteller-GehäuseTO-263-7 (IXTA)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)