IXTA4N80P

IXYS

IXTA4N80P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263

AktivTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds750 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePolar
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Tc)
Max. Verlustleistung100W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)