IXTA3N50D2

IXYS

IXTA3N50D2

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 3A TO263

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1070 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieDepletion
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
Max. Verlustleistung125W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)