IXTA2N80P

IXYS

IXTA2N80P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 800V 2A TO263

ObsoletTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds440 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePolarHV™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 50µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
Max. Verlustleistung70W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)