IXTA1N170DHV

IXYS

IXTA1N170DHV

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1700V 1A TO263

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs16Ohm @ 500mA, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3090 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieDepletion
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tc)
Max. Verlustleistung290W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263HV

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)