IXTA150N15X4-7

IXYS

IXTA150N15X4-7

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 150V 150A TO263-7

AktivTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.9mOhm @ 75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5500 pF @ 25 V
HerstellerIXYS
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieUltra X4
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A (Tc)
Max. Verlustleistung480W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Hersteller-GehäuseTO-263-7 (IXTA)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)